半導體企業競爭發展高度集成發光二極體(LED)照明驅動

半導體企業競爭發展高度集成發光二極體（led）照明驅動IC方案。高壓金屬氧化物半導體場效電晶（MOSFET）產能緊，LED照明係統供應商正麵臨交貨延遲的困境，因此晶片供應商正在加快發布高壓集成MOSFET的LED照明驅動IC方案，讓LED照明係統客戶免於高壓MOSFET缺貨之苦。

恩智浦區域市場總監王永斌表示，調光和非調光LED驅動IC和LED所有燈具的諧振控製器都需要高壓MOSFET，因此，恩智浦將通過高整合LED驅動IC該計劃確保客戶掌握貨源。

恩智浦（NXP）區域市場總監王永斌表示，2013年LED照明市場將更加蓬勃發展，但目前LED照明係統開發商是因為高壓MOSFET嚴重缺貨，陷入訂單多卻無法發貨的困境，很難在市場上大施拳腳。

避免高壓MOSFET供應不足影響市場擴張進度，包括恩智浦和意大利半導體（ST）、包爾英特（PI）等晶片製造商，已紛紛推出整合高壓MOSFET的LED照明驅動IC為了確保客戶LED照明產品出貨無虞，同時借機成長LED照明驅動IC的市場版。

恩智浦大中華區照明產品市場經理張偉超指出，高壓生產整合MOSFET的LED照明驅動IC，必須有高壓製程。然而，由於高壓製程的技術門檻太高，並非所有晶片製造商都有能力發展。因此，預計在這一缺貨趨勢下，恐怕會出現LED照明驅動IC供應商勢力消長。

為大舉插旗高度整合LED驅動IC王永斌強調，恩智浦已經把高原放在了計劃市場上SOI-HV更適合高壓製程轉換LED照明應用的ABCD3.預計量產將於2013年啟動，不僅更適合高壓整合MOSFET，同時可以減少泄漏電流，節省泄漏電流LED照明應用不必要的功能，能量產出更高的性價比LED驅動IC產品。

除了加強高壓製程技術外，現階段隻有意法半導體和東芝（Toshiba）及英飛淩（Infineon）等少數高壓MOSFET因此，為了保證高整合方案的順利開發，恩智浦也做好了萬全備料準備。

張偉超透露，恩智浦預計2012年下半年LED照明市場規模將急速擴張，因此已提早向高壓MOSFET從業者購買產品，現在可以保證客戶在六到八周內獲得高度的整合度LED照明驅動IC計劃將在未來縮短到三到四周。此外，恩智浦還計劃投資高壓MOSFET為了掌握更穩定的供應，製造商。